5月22日，南昌大學(xué)與頂立科技聯(lián)合培養的首屆專(zhuān)業(yè)碩士研究生學(xué)位論文答辯在頂立科技舉行，因疫情原因，答辯采取線(xiàn)上、線(xiàn)下結合方式進(jìn)行。

參加此次學(xué)位論文答辯的王卓健、劉興亮、朱晨光三位學(xué)生均是南昌大學(xué)物理與材料學(xué)院與頂立科技聯(lián)合培養的2019級專(zhuān)業(yè)碩士研究生，答辯委員會(huì )由國防科技大學(xué)原陶瓷纖維及其復合材料國防科技重點(diǎn)實(shí)驗室研究生導師王思青研究員、南昌大學(xué)物理與材料學(xué)院副院長(cháng)譚敦強教授、博士生導師章愛(ài)生教授、碩士生導師徐一副教授、頂立科技技術(shù)中心主任王艷艷高工組成。戴煜教授課題組的13名博士生與碩士生均在主會(huì )場(chǎng)和線(xiàn)上聆聽(tīng)答辯。

南昌大學(xué)是國家“雙一流”計劃世界一流學(xué)科建設高校、國家“211工程”重點(diǎn)建設高校，其材料科學(xué)與工程學(xué)科是世界一流學(xué)科建設點(diǎn)，擁有一級學(xué)科博士點(diǎn)、博士后流動(dòng)站和“材料物理與化學(xué)”國家重點(diǎn)學(xué)科。南昌大學(xué)副校長(cháng)江風(fēng)益院士團隊的“硅襯底高光效GaN基藍色發(fā)光二極管”項目獲得2015年度唯一國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎，助推江西打造“南昌光谷”。

頂立科技擁有“全國博士后科研工作站”、“湖南省工程實(shí)驗室”、“湖南省新型熱工裝備工程技術(shù)研究中心”等創(chuàng )新平臺。具有豐富的智能化沉積熱工裝備研制經(jīng)驗，其自主研發(fā)的多元耦合物理場(chǎng)沉積設備成功應用于快速沉積GaN單晶生長(cháng)用第三代半導體SiC，同時(shí)在大尺寸復雜構件上快速沉積SiC方面經(jīng)驗豐富。

三位碩士研究生的學(xué)位論文工作分別涉及第三代半導體GaN單晶生長(cháng)所需的SiC涂層制備、第三代半導體SiC單晶生長(cháng)所需的TaC涂層制備、TiB2/7055鋁合金復合材料的制備，所有論文均實(shí)驗工作量大，依托頂立科技的科研和生產(chǎn)平臺完成。論文工作不僅具有一定的創(chuàng )新性，也切合國家戰略需求和地方優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要，并結合了南昌大學(xué)和頂立科技優(yōu)勢學(xué)科和優(yōu)勢方向，同時(shí)促進(jìn)了頂立科技SiC、TaC涂層及TiB2/7055鋁合金復合材料的研發(fā)。答辯委員會(huì )在聽(tīng)取三位學(xué)員論文內容匯報后，通過(guò)質(zhì)詢(xún)、討論并經(jīng)投票，一致同意其通過(guò)論文答辯，并建議授予工程碩士學(xué)位。

此次南昌大學(xué)與頂立科技通過(guò)校企合作聯(lián)合培養研究生，實(shí)現了校企資源優(yōu)化共享，打造了人才培養雙向新平臺，助力了產(chǎn)學(xué)研的深度融合，相關(guān)研究成果為GaN單晶生長(cháng)用第三代半導體SiC的產(chǎn)業(yè)化打下了基礎，對助力湖南省“三高四新”戰略實(shí)施具有一定意義。