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頂立科技戴煜董事長(cháng)受邀參加全國新型炭材料研討會(huì )并作學(xué)術(shù)報告

發(fā)布時(shí)間:2023-08-23發(fā)布人:瀏覽: 次
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2023年8月14-16日,第十六屆全國新型炭材料學(xué)術(shù)研討會(huì )在山西太原召開(kāi)。本次研討會(huì )由中國科學(xué)院山西煤炭化學(xué)研究所、山西省科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )主辦,共有400余名來(lái)自全國高校、科研院和企業(yè)代表參會(huì )。該會(huì )議是中國碳材料學(xué)科領(lǐng)域具有代表性的學(xué)術(shù)交流會(huì )議,每?jì)赡昱e辦一次。

頂立科技戴煜董事長(cháng)受邀參加全國新型炭材料研討會(huì )并作學(xué)術(shù)報告.jpg

會(huì )議以“炭纖維、石墨和碳基復合材料”、“納米炭、多孔炭和炭材料結構表征”、“炭材料在電能存儲中的應用及結構調控”為主題設立三個(gè)分會(huì )場(chǎng),共匯編了研究論文摘要212篇,薈萃了我國新型炭材料研究與開(kāi)發(fā)的最新研究成果。

頂立科技董事長(cháng)戴煜博士受邀參會(huì ),并作題為《第三代半導體用“四高兩涂”碳基材料的技術(shù)現狀及展望》學(xué)術(shù)報告。報告闡述了國內外第三代半導體材料的應用現狀、國產(chǎn)碳化硅單晶與國外差距的原因分析,以及頂立科技在“四高兩涂”碳基材料(即高純碳粉、高純碳化硅粉、高純石墨、高純硬氈、碳化硅涂層、碳化鉭涂層) 研究方面取得的進(jìn)展情況。

第三代半導體材料.jpg

頂立科技自主研制的超高溫純化設備,采用獨特的復合高溫熱化學(xué)提純工藝,突破了高純碳粉微量雜質(zhì)去除技術(shù),產(chǎn)品純度可達6N以上;自主研制的化學(xué)氣相沉積裝備,突破了TaC涂層制備關(guān)鍵技術(shù),其產(chǎn)品性能達到國際先進(jìn)水平,實(shí)現了第三代半導體用關(guān)鍵材料與裝備的自主可控與產(chǎn)業(yè)化。

石墨提純系統.jpg

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