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碳化硅化學(xué)氣相涂層爐
碳化硅化學(xué)氣相涂層爐
產(chǎn)品描述：
用于半導體領(lǐng)域的石墨或陶瓷表面的碳化硅化學(xué)氣相涂層。
應用范圍：
熱彎模具、導流筒、半導體坩堝、外延載盤(pán)、晶舟、爐管等。產(chǎn)品純度≥99.999%/99.9999%。

碳化硅化學(xué)氣相涂層爐技術(shù)特征

采用先進(jìn)的進(jìn)氣控制技術(shù)，能精密控制MTS/SiCl4等的流量和壓力，爐膛內沉積壓力穩定，壓力波動(dòng)??；

多通道工藝氣路，配合旋轉料臺，無(wú)沉積死角；

溫度場(chǎng)與氣流場(chǎng)耦合采用仿真輔助設計，溫度場(chǎng)與氣流場(chǎng)的均勻性好；

多級尾氣處理系統，能高效處理腐蝕性尾氣、固體副產(chǎn)物，環(huán)境友好；

爐殼采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì)，熱場(chǎng)材料采用低灰分材質(zhì)，嚴格把控進(jìn)氣管路材質(zhì)（選用EP級材質(zhì)）；

適于工藝氣氛：真空/H2/N2/Ar/MTS等。


碳化硅化學(xué)氣相涂層爐產(chǎn)品規格

參數\型號HCVD-101015-SiCHCVD-121220-SiCVCVD-0608-SiCVCVD-0812-SiCVCVD-1015-SiCVCVD-1218-SiCVCVD-1520-SiCVCVD-1530-SiC
工作區尺寸 W×H×L（mm）1000×1000×15001200×1200×2000600×800800×12001000×15001200×18001500×20001500×3000
最高溫度（℃）1500
溫度均勻性（℃）±10/±15±15/±20±5/±7.5±7.5/±10±10/±15±10/±15±15/±20±15/±20
極限真空度（Pa）1-100
壓升率（Pa/h）0.67
加熱方式電阻

以上參數可根據工藝要求進(jìn)行調整，不作為驗收依據，具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準。

碳化硅化學(xué)氣相涂層爐配置選擇

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