SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應用領(lǐng)域有著(zhù)不可替代的優(yōu)勢

高純碳化硅粉體合成方法研究現狀綜述導  讀碳化硅作為第三代半導體的代表材料之一，適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。目前制作器件用的碳化硅單晶襯底材料一般采用PVT（物理氣相傳輸）法生...

 1 硅的瓶頸與寬禁帶半導體的興起1、 Si 材料的歷史與瓶頸上世紀五十年代以來(lái)，以硅（Si）材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了集成電路（IC）為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。然而，由于硅材料的帶...

碳/碳復合材料是指以碳纖維及其織物增強的碳基體復合材料。作為增強體的碳纖維可用多種形式和種類(lèi)，既可以用短切纖維，也可以用連續長(cháng)纖維及編織物。碳基體可以是通過(guò)化學(xué)氣相沉積制備的熱解碳，也可以是高分子材料熱解形...

據國際文傳電訊社10月22報道，俄羅斯國家航天集團公司斥資7.3億盧布建造高超聲速飛行器的熱防護試驗臺。與此同時(shí)，俄羅斯戰術(shù)導彈集團也在呼吁開(kāi)發(fā)耐受高超聲速高溫的整流罩。這些動(dòng)向顯示，俄羅斯在高超聲速領(lǐng)域十分活躍...

危險廢物的定義根據《中華人民共和國固體廢物污染環(huán)境防治法》和《危險廢物經(jīng)營(yíng)許可證管理辦法》，危險廢物是指列入《國家危險廢物名錄》或者根據國家規定的危險廢物鑒別標準和鑒別方法認定的具有危險特性的固體廢物。危險廢...

在網(wǎng)帶爐上處理GCr15軸承套圈時(shí)，當零件熱處理后硬度、金相組織、變形等均合格的情況下，如何使得套圈淬火后表面更易得到均勻的銀灰色？存在哪些影響因素，以及需要如何來(lái)調控這些因素以達到理想的淬火表面光亮性？筆者將以...

1.熱處理冷卻曲線(xiàn)熱處理工藝一般包括加熱、保溫、冷卻三個(gè)過(guò)程，其中加熱是為了讓珠光體向奧氏體轉變，保溫是完全奧氏體化，冷卻方法因工藝不同而不同，主要是控制冷卻速度，因冷卻速度不同而分別轉變?yōu)橹楣怏w、貝氏體、馬氏體...