5月20日，南昌大學(xué)與頂立科技聯(lián)合培養的首屆博士研究生學(xué)位論文開(kāi)題和2023屆碩士研究生學(xué)位論文答辯在頂立科技順利舉行。

參加此次博士學(xué)位論文開(kāi)題的有鄭建新、霍同國兩位博士研究生；參加學(xué)位論文答辯的有胡智臣、龍振、惠枋杰、賈成成四位碩士研究生。學(xué)位論文開(kāi)題和答辯專(zhuān)家委員會(huì )由北京科技大學(xué)材料學(xué)院耿東生教授（同時(shí)為南京信息工程大學(xué)化學(xué)與材料學(xué)院主持工作的副院長(cháng)）、南昌大學(xué)物理與材料學(xué)院副院長(cháng)譚敦強教授、國防科技大學(xué)空天學(xué)院劉榮軍研究員、中國航天科工集團四院第四總體設計部王思青研究員、頂立科技新材料事業(yè)部首席科學(xué)家譚興龍教授、頂立科技技術(shù)中心主任王艷艷高工組成。戴煜教授課題組的14名博士生與碩士生均在會(huì )場(chǎng)或線(xiàn)上聆聽(tīng)答辯。

南昌大學(xué)是國家“雙一流”計劃世界一流學(xué)科建設高校、國家“211工程”重點(diǎn)建設高校，其材料科學(xué)與工程學(xué)科是世界一流學(xué)科建設點(diǎn)，擁有一級學(xué)科博士點(diǎn)、博士后流動(dòng)站和“材料物理與化學(xué)”國家重點(diǎn)學(xué)科。

 頂立科技擁有“全國博士后科研工作站”、“湖南省工程實(shí)驗室”、“湖南省新型熱工裝備工程技術(shù)研究中心”等創(chuàng )新平臺。具有豐富的智能化沉積熱工裝備研制經(jīng)驗，其自主研發(fā)的多元耦合物理場(chǎng)沉積設備成功應用于快速沉積GaN單晶生長(cháng)用第三代半導體SiC涂層基座制備，同時(shí)在大尺寸復雜構件上快速沉積SiC方面經(jīng)驗豐富。

兩位博士研究生的博士學(xué)位論文將分別涉及航空航天用耐燒蝕C/C復合材料的制備及性能研究、半導體用SiC涂層的制備及性能等研究。四位碩士研究生的學(xué)位論文工作分別涉及第三代半導體SiC單晶生長(cháng)所需高純SiC粉制備、第三代半導體SiC單晶生長(cháng)所需TaC涂層制備、高溫氣冷堆所需耐磨SiC涂層制備、制備超高純碳粉所需的高效節能新型連續推舟式提純爐設計及提純工藝模擬與驗證。所有博、碩論文工作均實(shí)驗工作量大，依托頂立科技的科研和生產(chǎn)平臺完成，不僅具有一定創(chuàng )新性，也切合國家戰略需求和地方優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要，結合了南昌大學(xué)和頂立科技優(yōu)勢學(xué)科和優(yōu)勢方向，促進(jìn)了頂立科技高純SiC粉體、TaC涂層、SiC涂層、高純碳粉及其熱工裝備的研發(fā)。答辯委員會(huì )在聽(tīng)取開(kāi)題匯報和學(xué)位論文內容匯報后，通過(guò)質(zhì)詢(xún)、討論并投票，一致同意兩位博士生開(kāi)題通過(guò)，四位碩士生通過(guò)論文答辯并建議授予工程碩士學(xué)位。

近年來(lái)，南昌大學(xué)與頂立科技展開(kāi)校企合作，通過(guò)聯(lián)合培養博士生、研究生，實(shí)現校企資源優(yōu)化共享，打造了人才培養雙向新平臺，助力產(chǎn)學(xué)研深度融合。